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        2D Semiconductors:探索微觀世界的力量

        更新時間:2025-04-15      點擊次數(shù):1371

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        2Dsemiconductors公司,旨在重塑材料科學(xué)與工程的整體格局。公司由一群在學(xué)術(shù)研究、制造、技術(shù)、工藝工程及界面設(shè)計工程領(lǐng)域擁有多元背景的遠見者共同創(chuàng)立,致力于重新定義量子材料、新興半導(dǎo)體及下一代材料系統(tǒng)的可能性。

        2Dsemiconductors致力于彌合學(xué)術(shù)界與工業(yè)界之間的知識與經(jīng)驗鴻溝,挑戰(zhàn)傳統(tǒng)范式,推動材料科學(xué)與工程的革新。我們的使命是承擔(dān)行業(yè)伙伴不敢涉足的風(fēng)險,通過創(chuàng)新材料系統(tǒng)突破科學(xué)與工程發(fā)現(xiàn)的邊界。

        2Dsemiconductors始終以研發(fā)為核心,累計發(fā)布了200余種突破性層狀研發(fā)級晶體,以行業(yè)推動技術(shù)進步。這些創(chuàng)新不僅彰顯了技術(shù)實力,更鞏固了我們在電子、物理、化學(xué)、生物學(xué)及跨學(xué)科科學(xué)領(lǐng)域拓展邊界的地位。通過化學(xué)氣相傳輸、布里奇曼生長法、熔劑生長法、原子層沉積、分子束外延、化學(xué)氣相沉積、液相合成、高壓合成等技術(shù),我們持續(xù)探索并應(yīng)用多元化工藝,打造材料系統(tǒng)。


        核心優(yōu)勢

        1.技術(shù):液相剝離技術(shù)實現(xiàn)99.9%純度單層薄膜量產(chǎn),層數(shù)控制精度達±1?;

        2.規(guī)模化生產(chǎn)能力:月產(chǎn)能突破萬平方米,覆蓋從研發(fā)樣品到工業(yè)級批量的全鏈條需求;

        3.材料多樣性:提供20余種二維半導(dǎo)體材料庫,適配光電器件、傳感器、柔性電子等多元場景;

        4.質(zhì)量管控體系:通過ISO 9001/14001雙認證,材料性能通過IMEC、AIST等國際機構(gòu)驗證;

        5.可持續(xù)發(fā)展:采用無污染制備工藝,碳排放較傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料降低80%。


        主要產(chǎn)品、技術(shù)介紹:

        1.2'' wafer CVD Monolayers or Few-layers (Select material)

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        2英寸c向切割藍寶石襯底上的全覆蓋單層MoS?、MoSe?、WS?、WSe?(少層樣品可定制)。所有CVD生長的過渡金屬硫族化合物(TMDs)均表現(xiàn)出高發(fā)光特性,拉曼光譜研究進一步證實了單層厚度。

        采用化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)合成這些單層材料,在半導(dǎo)體級潔凈室中使用6N級(99.9999%)高純度氣體和前驅(qū)體,制備出結(jié)晶度高、晶粒尺寸達1-50微米的大面積樣品。與常規(guī)金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)工藝不同(后者通常存在大范圍缺陷且晶粒尺寸僅10納米至500納米),本工藝生長的樣品始終保持高結(jié)晶度、高發(fā)光性,且無碳污染層殘留。


        2.As2S3 Crystal

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        硫化砷(As?S?)具有2:3化學(xué)計量比。經(jīng)過3年累計250次生長試驗后,實現(xiàn)了化學(xué)計量比、大晶疇尺寸(十萬分之一的晶胞缺陷密度)以及超高純度(99.9998%)。塊體形態(tài)下,砷硫化物(As?S?)是直接帶隙半導(dǎo)體,帶隙約2.5 eV。與二硫化鉬類似,其具有層狀(片層)結(jié)構(gòu),層間耦合較弱,可實現(xiàn)單層剝離。單層厚度約為0.8 nm,理論預(yù)言的單層As?S?仍待實驗與理論突破。本產(chǎn)品晶體尺寸可達約8毫米,展現(xiàn)出優(yōu)異的光致發(fā)光特性。采用先進生長技術(shù)培育8周,晶體結(jié)晶度優(yōu)異,拉曼光譜顯示特征峰半高寬小于6 cm?1。As?S?晶體易于機械剝離,是二維材料研究的理想選擇。


        3.2D Heterojunctions

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        已開發(fā)出可擴展的方法,將二維CVD生長片層背對背轉(zhuǎn)移以構(gòu)建二維垂直異質(zhì)結(jié)。盡管二維半導(dǎo)體研發(fā)團隊采用無化學(xué)轉(zhuǎn)移工藝,但預(yù)計在轉(zhuǎn)移過程中仍可能因應(yīng)變、基板和缺陷等因素導(dǎo)致二維層物理性質(zhì)發(fā)生變化。由于生產(chǎn)流程具有高度定制化特性,所有轉(zhuǎn)移類CVD產(chǎn)品一經(jīng)售出概不退款。

        該產(chǎn)品展示了我們在多種基板和異質(zhì)結(jié)排布方面的技術(shù)能力。定價主要取決于基板類型、CVD單層材料以及與您的應(yīng)用場景和樣品規(guī)格相關(guān)的其他技術(shù)挑戰(zhàn)。我們的研發(fā)團隊致力于以經(jīng)濟實惠的方式為您打造定制化CVD產(chǎn)品。


        目標客戶群體

        高校與科研院所:提供高純度基礎(chǔ)材料支持基礎(chǔ)研究;

        半導(dǎo)體晶圓廠:兼容主流CMOS工藝的二維材料代工服務(wù);

        新能源企業(yè):鈣鈦礦太陽能電池界面修飾材料定制;

        消費電子品牌:折疊屏手機鉸鏈鉸支撐材料及柔性電路基板。


        常見問題與解答

        Q1:二維半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅基材料相比有何優(yōu)勢?

        A:二維材料具備原子級厚度、超高載流子遷移率和機械柔韌性,可突破摩爾定律極限,適用于更高集成度的柔性/異構(gòu)芯片設(shè)計。

        Q2:材料穩(wěn)定性如何保障?

        A:通過表面鈍化處理與封裝技術(shù),產(chǎn)品在空氣環(huán)境中可穩(wěn)定保存12個月以上,特殊型號可達24個月。

        Q3:是否支持小批量定制化生產(chǎn)?

        A:是的,最小起訂量為1cm×1cm標準尺寸,交貨周期為4-6周。

        Q4:是否有成功商業(yè)化案例?

        A:已與OLED面板廠商合作開發(fā)透明導(dǎo)電薄膜,良率達95%以上。

        Q5:環(huán)保合規(guī)性如何?

        A:生產(chǎn)過程符合RoHS標準,廢水回收利用率達98%,獲LEED鉑金級綠色工廠認證。


        熱銷產(chǎn)品

        貨號

        品名

        規(guī)格

        品牌

        BLK-Fe3GaTe2

        Fe3GaTe2 Crystal

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        2dsemiconductors

        SOL-PTAS

        PTAS (liquid)

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        2dsemiconductors

        BLK-PTAS

        PTAS (solid)

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        2dsemiconductors

        BLK-MoS2-SYN-FLX

        MoS2 - Synthetic Crystal

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        2dsemiconductors

        BLK-TiS2

        TiS2 Crystal

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        2dsemiconductors

        BLK-HfS2-FLX

        HfS2 Crystal Flux zone growth

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        2dsemiconductors

        BLK-NbOCl2

        NbOCl2 Crystal

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        2dsemiconductors

        BLK-Ta3FeS6

        Ta3FeS6 Crystal

        ea

        2dsemiconductors

        BLK-Cr2Te3

        Cr2Te3 Crystal

        ea

        2dsemiconductors

        BLK-CrTe2

        CrTe2 Crystal

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        2dsemiconductors

        BLK-Fe4GeTe2

        Fe4GeTe2 Crystal

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        2dsemiconductors

        CVD-WSe2-ML-SP

        WSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

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        2dsemiconductors

        CVD-WS2-ML-SP

        WS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

        ea

        2dsemiconductors

        CVD-SnSe2-ML-SP

        SnSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

        ea

        2dsemiconductors

        MBE-MoSe2

        MoSe2 - MBE on c-cut Sapphire

        ea

        2dsemiconductors

        CVD-MoSe2-ML-SP

        MoSe2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

        ea

        2dsemiconductors

        MBE-MoS2

        MoS2 - MBE on c-cut Sapphire

        ea

        2dsemiconductors

        CVD-MoS2-ML-SP

        MoS2 - Full Area Monolayer on c-cut Sapphire

        ea

        2dsemiconductors

        BLK-BSCCO-2223

        BSCCO Crystal

        ea

        2dsemiconductors

        BLK-YBCO

        YBCO Crystal,Up to 1 cm size

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        2dsemiconductors

        BLK-WSe2-P

        WSe2 Crystal

        p-Type

        2dsemiconductors

        BLK-GaPS4

        GaPS4 Crystal

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        2dsemiconductors

        BLK-BA

        Black Arsenic

        ea

        2dsemiconductors

        BLK-ZrSe2

        ZrSe2 - Zirconium Diselenide Crystal

        ea

        2dsemiconductors

        BLK-ZRS2

        Zirconium Disulfide (ZrS2)

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        2dsemiconductors

        BLK-ZrTe2

        ZrTe2 Crystal

        ea

        2dsemiconductors

        CVD-MoS2-ML-S

        Full Area Coverage Monolayer MoS2 on Si02/Si

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        2dsemiconductors

        CVD-WS2-ML-SiO2Si

        WS2 on SiO2/Si

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        2dsemiconductors

        BLK-hBN-HPA

        Hexagonal Boron Nitride (h-BN)

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        2dsemiconductors

        BLK-WS2

        Tungsten Disulfide (WS2)

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        2dsemiconductors


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